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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BSC265N10LSF G 

产品描述

MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

内部编号

173-BSC265N10LSF-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:3875
1+¥3.6213
25+¥3.3902
100+¥3.2361
500+¥3.082
1000+¥2.9279
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:3380
20+¥5.681
40+¥5.3675
200+¥5.054
400+¥4.997
1000+¥4.9495
最小起订量:20
英国伦敦
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#3

数量:560
20+¥5.681
40+¥5.3675
200+¥5.054
400+¥4.997
1000+¥4.9495
最小起订量:20
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BSC265N10LSF G产品详细规格

规格书 BSC265N10LSF G datasheet 规格书
BSC265N10LSF G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 5,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 40A
Rds(最大)@ ID,VGS 26.5 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.4V @ 43µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 21nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1600pF @ 50V
功率 - 最大 78W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-PowerTDFN
供应商器件封装 PG-TDSON-8 (5.15x6.15)
包装材料 Tape & Reel (TR)

BSC265N10LSF G系列产品

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